Hydrid-Gasphasenepitaxie von versetzungsarmen und freistehenden GaN-Schichten
- Editore:
Cuvillier Verlag
- EAN:
9783869558226
- ISBN:
3869558229
- Pagine:
- 142
- Formato:
- Paperback
- Lingua:
- Tedesco
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Descrizione Hydrid-Gasphasenepitaxie von versetzungsarmen und freistehenden GaN-Schichten
Diese Arbeit beschreibt die Herstellung von versetzungsreduzierten und freistehenden GaN-Schichten auf der Basis der Selbstablösung von einem Fremdsubstrat. Die wesentlichen Teilaspekte dabei sind das Wachstum dicker GaN-Schichten mittels Hydridgasphasenepitaxie (HVPE), Maßnahmen zur Reduktion der Versetzungsdichte und die Ablösung der Epitaxieschicht vom Fremdsubstrat.
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