Contribution à l'étude du transport ambipolaire dans les OFETs:
Impact du procédé de fabrication sur les performances des couches minces
- Collana:
- Omn.univ.europ.
- EAN:
9786131548932
- ISBN:
6131548935
- Pagine:
- 160
- Formato:
- Paperback
- Lingua:
- Francese
Descrizione Contribution à l'étude du transport ambipolaire dans les OFETs:
L''électronique plastique est devenue en une dizaine d''années un domaine actif, tant en recherche fondamentale qu''en application. La compréhension et le contrôle des forces motrices du transport ambipolaire est un objectif clé de la recherche dans le domaine de l''électronique organique, et plus particulièrement des transistors. Le premier chapitre présente les résultats obtenus avec des transistors réalisés par évaporation sous vide de phthalocyanines de cuivre. Dans un premier temps la stabilité et les performances des deux semi-conducteurs isolés ont été caractérisés, puis une étude morphologique, électrique et structurelle a été menée sur des dispositifs en structure bicouche ou interpénétrée. Le deuxième chapitre présente une nouvelle méthode d''élaboration de transistors: le LIFT (Laser Induced Forward Transfer). Cette méthode récente peut permettre de déposer des films à une très grande cadence menant à des dispositifs microstructurés de grande précision. Le dernier chapitre présente une approche par voie liquide. En conclusion, les différentes méthodes sont évaluées et comparées afin de déterminer leur utilité et applicabilité respectives.
