Basic Equations For The Modeling Of Gallium Nitride (gan) High Electron Mobility Transistors (hemts) di Jon C. Freeman Nasa Glenn Research, Denmark edito da General Books Llc

Basic Equations For The Modeling Of Gallium Nitride (gan) High Electron Mobility Transistors (hemts)

EAN:

9781234873363

ISBN:

1234873362

Pagine:
72
Formato:
Paperback
Lingua:
Inglese
Acquistabile con o la
Fuori catalogo - Non ordinabile
€ 18.50

Recensioni degli utenti

e condividi la tua opinione con gli altri utenti